晶振电阻电容对时间的影响（晶振电路中电容大小的选择）

走时偏快,如何调整晶振的负载电容?用时钟芯片DS1302,晶振32.768KHZ和AT89...

貌似很多时候12pf的常见一些，如果你要使用12pf的，那么就要在两个引脚分别对地并联6pf的电容。否则就会快一点。室温较高导致偏差。一般晶振在25度下校正，当29度以上时，开始可见明显偏差。

这里说的负载电容是晶体的负载电容，不是说的晶振左右两个电容值，晶体负载电容是晶体自身的一个参数，3768KHz晶体负载电容有15pf、9pf、8pf、6pf等规格，ds1302手册上明确要求3768KHz晶体负载电容选用6pf的。

DS1302时钟的快慢与外接的晶振频率有关，如果越走越快的话，可能是输入的频率发生了变化。

为什么晶振匹配电容会影响振荡电路频率

晶振旁边接的两个电容，作用是负载频率不同决定振荡器的振荡频率不同。标称频率相同的晶振，负载电容不一定相同。普通单片机的晶体振荡器在并联谐振状态下工作，这也可以理解为谐振电容器的一部分。

晶振频率基本上由晶体特性决定，外部电容仅仅有一点“微调”效果，最大调节范围不会超过千分之一，因此电容不能决定振荡频率。

同种频率情况下，负载电容越小，频率误差（即常温频差）相对越大。对于高频小负载的产品，这种现象尤为明显。

晶体谐振器为什么频率越低,电阻越高,频率越高,电阻反而越小呢?_百度...

1、晶振的频率不能太高的原因是频率越高误差会越大。

2、所以信号频率越高，谐振电路的参数值就越小啦。外来交流信号给谐振电路补电的时机与谐振电路固有频率越近，则补进谐振电路的电量就越少。或者说外来信号给谐振电路补电的效率就越高。

3、导线流过电流会产生磁场，电流在磁场中受力，这个力会使电流趋向去导体表面，这叫趋肤效应。频率越高这中效应越明显。由于趋肤效应同样的导体，频率不同有效的导体面积就不同。所以电阻值大小就不同。

4、它的谐振频率与晶片的切割方式、几何形状、尺寸等有关 。当晶体不振动时，可把它看成一个平板电容器称为静电电容C，它的大小与晶片的几何尺寸、电极面积有关，一般约几个PF到几十PF。

电容对频率的影响??

在振荡电路中，电容的容量越大，频率就越低。对于电容器本身来说，虽然频率不是直接和频率相关，但是那些较大容量的电容一般都是电解电容，而电解电容一般高频特性都不好。

当电容增加时，振荡频率会降低；当电容减少时，振荡频率会升高。在振荡电路中，电容的变化也会影响振荡电路的稳定性。当电容值发生变化时，振荡频率会发生偏移，导致振荡电路不稳定。

因为电容器的电压是指额定工作电压，与频率无关。但电容器工作在不同频率的电压下，所呈现的容抗是不同的。频率越高容抗越小，频率越低容抗越大。

物理学上把这种阻碍作用称为容抗，用字母Xc表示。所以电容对交流电仍然有阻碍作用，交流电容易通过电容，说明电容量大，电容的阻碍作用小；交流电的频率高，交流电也容易通过电容，说明频率高，电容的阻碍作用也小。

因为电路的频率特性由储能大小决定；而电容是一种储能元件（特性）；所以电容会影响电路的频率特性。

影响电路频率响应。容值越大，截止频率越低。如果电路中原本设计好的频率响应范围因此变大，可能会对电路性能产生影响。增加电路稳定性。大电容可以在不失真的情况下平滑电源电压，降低电源噪声和干扰。

单结晶体管触发电路中为什么改变电阻就能改变电容充电时间呢,改变电...

1、在交流电压的每个半周期内，单结晶体管都将输出一组脉冲，起作用的第一个脉冲去触发v5的控制极，使晶闸管导通，灯泡发光。改变rp的电阻值，可以改变电容充电的快慢，即改变锯齿波的振荡频率。

2、单结晶体管在电路中起的作用如下：单结晶体管具有大的脉冲电流能力而且电路简单，因此在各种开关应用中，在构成定时电路或触发SCR等方面获得了广泛应用。它的开关特性具有很高的温度稳定性，基本上不随温度而变化。

3、调节RP的阻值，就可以改变电容器C的充电时间（也就是改变了第一个Ug发出的时刻）相应地改变了可控硅的控制角，使负载RL上输出电压的平均值发生变化，达到调压的目的。

4、原理是当单结晶体管的控制端与正极相连时，经过一个门电流的触发，单结晶体管就会变成一个导通的状态，从而实现对负载的控制。

5、单结晶体管与电阻和电容组成一个脉冲发生器电路，每当交流电源过零后该电路开始工作，电源通过电阻给电容充电，知道单结晶体管导通而发出脉冲触发主回路输出电压。

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